低温多晶硅LTPS是Low Temperature Ploy Silicon的缩写，一般情况下低温多晶硅的制程温度应低于摄氏600度，尤其对LTPS区别于a-Si制造的制造程序“激光退火”（laser anneal）要求更是如此。与a-Si相比，LTPS的电子移动速度要比a-Si快100倍，这个特点可以解释两个问题：首先，每个LTPS PANEL 都比a-Si PANEL反应速度快；其次，LTPS PANEL 外观尺寸都比a-Si PANEL小。下面是LTPS与a-Si 相比所持有的显著优点： 
1、 把驱动IC的外围电路集成到面板基板上的可行性更强； 
2、 反应速度更快，外观尺寸更小，联结和组件更少； 
3、 面板系统设计更简单； 
4、 面板的稳定性更强； 
5、 解析度更高，