Q:储能IGBT价值量,是否比光伏的价值量更高?
A:储能用更多的IGBT和SiC,涉及到DCDC和DCAC两个环节。两种方案,光储一体以及单独储能系统。独立的储能系统,功率半导体器件的用量是光伏的1.5倍左右。目前光储一体可能占比超过60-70%,单独储能系统占比30%。
Q:SiC在储能的应用?
A:二极管目前已经放量了,SiC SBD价格比同等级硅基二极管高3倍。但是SiC MOS是硅基的5倍以上。所以价格还是比较高,储能可以应用,但是光伏逆变器成本也比较敏感,以SiC MOS目前的价格机会不大。随着未来的价格逐步降低,未来2-3年价格如果下降至IGBT 2倍,那效率提升会来带比较大的优势。猜测可能在2025年开始放量。1200V电压等级相对硅基性能上有很大优势。尤其在组串式上面,可以减少体积,提升效率。
Q:逆变器厂商IGBT库存水位?
A:没有什么IGBT库存,这是光伏最大的产能制约,所以光伏厂商下单存在overbooking的情况。
Q:IGBT整体供需情况?
A:IGBT的周期比较明显,3年一个周期。而这一次缺货时间比较长,影响因素比较多。随着各家在释放产能,24年出现供需反转,23年大概率还会存在一定缺货。
Q:储能中SiC MOS渗透率以及后续价值量?
A:SiC MOS目前渗透率不高,可能15-20%。功率等级以1200V 40毫欧32毫欧为主,电化学储能去年2.2GW,每瓦变流器成本0.3元左右,如果纯用SiC,成本占比35-40%。
Q:储能5GW抽蓄有用到什么功率器件么?
A:也有用IGBT的,但是比例不高,不用变频,用泵把水提上去,用的是水电站的发电方式,通过闸门来调节。以后抽蓄肯能会用风电变流器的双馈的方式。双馈的功率只需要抽蓄功率的30%。
Q:电化学储能?
A:电化学储能用硅基MOS占比40-50%,微逆里面用MOS占比稍低一些。SiC MOS比较贵,还是以硅基为主。10KW以下的用硅基MOS,10KW以上用MOS效率不高。目前IGBT的开关频率可以做到40-50K,已经完全符合要求。
Q:国内哪些IGBT厂商在光储进展快一些?
A:斯达和中车比较快,国内还有新洁能、宏微等厂商。SiC泰克天润、基本半导体,55所刚起来。士兰微做的也很好,着重低压领域,在光伏的量还没有完全释放出来。华润单管小器件做的可以,但是IGBT做的不行。赛晶1200v-1700v模块做的也不错,赛晶团队在瑞士,欧洲的技术。SiC主要以SBD为主,MOS非常少,今年量加起来可能不到5千万。
Q:有没有企业采用GaN方案?
A:GaN特性只能到650V,在小功率和射频用的比较多。光伏储能不需要那么高的开关频率, SiC已经足够,没有什么大的市场。
Q:赛晶出货情况?
A:最近出了一些问题,人员流动,工厂也遇到一些问题没有大规模量产,产能可能接近100万只,但是市场导入没有太多,有批量但是没有爬坡。
Q:SGT高压MOS是否缺货?
A:总体还是比较缺货。
Q:光伏芯片士兰微横向对比水平?什么时候放量?
A:士兰微很早就在厦门布局12寸,马上开始放量,后年的量会比较大。英飞凌7代沟槽很密,士兰微能对标英飞凌5代,至少超过4代的水平。在国内士兰微还没有达到华虹的水平。中芯绍兴的水平可能跟士兰微的水平接近。国内芯片水平差的不是太多,器件的话斯达>中车>斯达。
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