硅业在线赢硅网5月12日讯  日前，Vishay公司宣布推出新的650V EF系列器件SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF，扩大其快速体二极管N沟道功率MOSFET产品组合。SiliconixSiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF扩大了该公司的600V产品，为工业、通信和可再生能源应用提供了迫切需要的电压余量。

　　今天推出的这批650V快速体二极管MOSFET采用E系列超级结技术制造，反向恢复电荷(Qrr)比传统MOSFET低10倍。这样器件就能更快地阻断电压，有助于避免共通和热过应力造成的失效，在零电压切换(ZVS)/软开关拓扑中提高可靠性，例如移相桥、LLC转换器和3电平逆变器。

　　21A SiHx21N65EF有5种封装形式，28A SiHx28N65EF和33A SiHG33N65EF各有两种封装。这些MOSFET的导通电阻分别只有157mΩ、102mΩ和95mΩ，栅极电荷也非常低，使得器件的传导损耗和开关损耗都极低，在太阳能逆变器、服务器和通信电源系统、ATX/Silver PC开关电源、焊接设备、UPS、电池充电器、外置式电动汽车(EV)充电桩等高功率、高性能开关应用，以及LED、高强度气体放电(HID)和荧光灯镇流器照明中起到节能的作用。

　　器件可承受雪崩和换向模式中的高能脉冲，确保限值通过100% UIS测试。MOSFET符合RoHS，无卤素。

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