所谓选择性发射极(SE-selectiveemiter)晶体硅太阳电池，即在金属栅线(电极)与硅片接触部位进行重掺杂，在电极之间位置进行轻掺杂。这样的结构可降低扩散层复合，由此可提高光线的短波响应，同时减少前金属电极与硅的接触电阻，使得短路电流、开路电压和填充因子都得到较好的改善，从而提高转换效率。

　　SE电池生产企业

　　无锡尚德研发的Pluto冥王星电池，最新的转换效率已达20.3%。

　　SE电池的结构

　　在太阳电池的众多参数中，发射极(dopantprofile)是最能影响转换效率的参数之一。

　　适当提高方块电阻可提高开路电压和短路电流，但是在丝网印刷方式下，Ag电极与低表面掺杂浓度发射极的接触电阻较大，最终会由于填充因子的下降从而引起转换效率降低。

　　为了同时兼顾开路电压、短路电流和填充因子的需要，选择性发射极电池是比较理想的选择，即在电极接触部位进行重掺杂，在电极之间位置进行轻掺杂。

　　传统结构的太阳电池n+扩散层方阻一般在40-50Ω/□，而SE结构的太阳电池的浅扩散方阻一般在80-100Ω/□，在电极下的重掺方阻则低于40Ω/□。

　　该结构电池的优点

　　1、降低串联电阻，提高填充因子

　　在丝网印刷工艺下，前栅接触电阻、体电阻和扩散层薄层电阻对串联电阻贡献最大。

　　根据金属-半导体接触电阻理论，接触电阻与金属势垒(barrierheight)和表面掺杂浓度(Nb)有关，势垒越低，掺杂浓度越高，接触电阻越小。

　　2、减少载流子Auger复合，提高表面钝化效果

　　当杂质浓度大于1017cm-3时，Auger复合是半导体中主要的复合机制，而Auger复合速率与杂质浓度的平方成反比关系，所以SE的钱扩散可以有效减少载流子在扩散层横向流动时的Auger，提高载流子收集效率。

　　3、改善光线短波光谱响应，提高短路电流和开路电压

　　对于AM1.5G而言，月20%能量的入射光的吸收发生在扩散层内，所以浅扩散可以提高这些短波段太阳光的量子效率，提高短路电流;同时，由于存在一个横向的(n++-n+)高低结，和传统结构相比，还可提高开路电压。

　　尽管SE太阳电池目前还没有进入大规模量产阶段，但选择性发射极电池的高转换效率，为降低生产成本带来的效益不可小觑。待工艺技术匹配更加完善之后，在未来的几年内有望成为光伏市场的热门产品。