A、太阳能级多晶硅料 

技术要求：

总体要求：硅含量99.9999% 
含硼量：<0.20ppba 
含磷量：<0.90ppba 
含碳量：<1.00ppba 
金属含量：<30.00ppba 
金属表面含量：<30.00ppba 
尺寸大小要求：25mm---250mm 
多晶种类：P型 
电阻率：>0.50Ohmcm 
B、破碎半导体级硅片

技术要求：

半导体级碎硅片 
片子形状为圆弧形碎片 
硅片厚度>=400um 
型号为P型 
电阻率：>0.50Ohmcm 
C、小多晶硅

技术要求

1. 型号为N型，电阻率大于50ohmcn，碳含量小于5*1016/cm3，氟含量小于 5*1017/cm3

2. 块状为4mm

3. 不能有氧化物夹层和不熔物，最好为免洗料 

D、直拉多晶硅

技术要求

1.磷检为N型，电阻率大于100ohmcm， 硼检为P型，电阻率大于1000ohmcm.少娄载流子寿命大100um，碳含量小于1016cm3，氧含量小于1017 cm3

2. 块状小于30mm

3. 不能有氧化物夹层和不熔物，最好为免洗料

E、区熔头尾料

技术要求

1. N型，电阻率大于50chmom 少数载流子寿命大于100μm

2. 块状大于 30mm

3. 区熔头尾料不能有气泡，不能有与线圈接触所造成的沾污，更不能有区熔过程的流硅或不熔物。

4. 最好为免洗料

F、直拉头尾料（IC料），最好为免洗料

1. N型，电阻率大于10ohmom

2. P型，电阻率大于 0.5ohmom

3. 块状大于30mm，片厚大于0.5mm

4. 直拉头尾料不能气泡，更不能有不熔物