硅业在线赢硅网4月21日讯  G3是采用铸锭技术生产单晶的第三代升级，99%的晶体是单晶结构，电池客户用常规工艺和PERC工艺验证后获得的光电转换率比直拉单晶低0.5个百分点，其成本却接近铸锭工艺，比直拉单晶低得多。

　　上海SNEC展期间，保利协鑫发布全新一代铸锭单晶产品“鑫单晶”G3。据发布会介绍，G3是采用铸锭技术生产单晶的第三代升级，99%的晶体是单晶结构，电池客户用常规工艺和PERC工艺验证后获得的光电转换率比直拉单晶低0.5个百分点，其成本却接近铸锭工艺，比直拉单晶低得多。这引起市场热议，G3量产会不会取代目前普及的直拉单晶?尤其目前直拉单晶价格高达6元/瓦以上，而多晶硅片价格已直逼4元左右，2元/片的价差，每片的功率都在4.5-4.9瓦之间不相上下，差距不足10%。

　　保利协鑫介绍铸锭单晶G3具有“高产能、高效率、低成本、低光衰”优点。一个是转换效率与直拉单晶相当。铸锭单晶技术产出的同样是晶向一致、位错密度低的单晶，可与传统直拉单晶一样使用碱制绒工艺，因此转换效率非常接近直拉单晶产品，并完全适用于PERC等高效电池技术，带来更高的产品效率。数据显示，G3在常规电池工艺、PERC高效电池工艺下与直拉单晶的效率差均小于0.5个百分点。更重要的是，99%的部分是这种晶向一致、位错密度低的单晶。

　　第二个是光致衰减低，G3硅片继承了铸锭技术产品“光衰”较低的优点，氧含量仅为直拉单晶的一半，甚至优于常规多晶硅片，由此带来的组件光衰显著优于传统直拉单晶。

　　第三是单片尺寸扩大。G3硅片比同样边长为156.75mm的直拉单晶硅片面积多出136mm?，这意味着封装成组件时的损失更小，且更容易扩大尺寸，全寿命周期的实际输出功率更高，可为应用端带来实实在在的高收益。

　　第四是综合成本优势显著。铸锭一炉可上千公斤，其高产优于任何直拉四米，一炉四根、五根的直拉单晶工艺。铸锭单晶的晶体结构可以直接匹配金刚线切割技术。保利协鑫没有给出具体的成本数据，但据其称，目前阶段，成本只比铸锭高一些，主要是热场改造，运行参数方面比多晶严格。但成本一定比直拉单晶低很多，到底低多少，可参照的就是本周保利协鑫的金刚线切多晶在一片难求的情况下仍然定价4.2元/片。

　　据报道，这次发布会引来阿特斯、天合、晶澳、晋能、通威等行业大佬站台。茂迪股份董事长张秉衡在发布会上为铸锭单晶新品叫好，他同时抱怨说今年由于政策的原因导致单晶产品供应失衡，给业者造成了很大困扰，有大量新建的单晶电池、组件投资却买不到硅片。

　　目前为止，不知道单晶厂家怎么看。

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